碳化硅芯片核心技术解析- SMT行业之家-优秀的源头厂家交易网_SMT业务合作交流部落

行业资讯 > 最新科技 > 碳化硅芯片核心技术解析

碳化硅芯片核心技术解析

2025年03月18日 13:35 浏览：338 来源：小萍子

碳化硅芯片核心技术解析

一、材料特性与优势

碳化硅（SiC）作为第三代半导体核心材料，其性能显著优于传统硅基材料：

‌宽禁带特性‌
（3.26 eV）：支持更高击穿电场强度（3.0 MV/cm），适用于高压、高温场景，同时降低功率损耗‌。
‌高导热性‌

（4.9 W/cm·K）：散热效率为硅的3倍以上，提升器件可靠性和高温稳定性‌。
‌高频性能‌
：电子饱和漂移速率达2×10⁷ cm/s，适合高频应用（如5G通信、射频器件）‌。
‌化学惰性‌

：耐腐蚀、抗辐射，适用于航空航天等极端环境‌。

二、核心应用场景

‌新能源汽车‌

‌800V高压平台‌
：碳化硅功率芯片可显著提升充电效率，解决续航焦虑，已应用于比亚迪、小鹏等品牌车型‌。
‌电驱系统‌

：每辆电动车需90-100个功率芯片（四驱系统增加50%），碳化硅模块替代硅基IGBT已成趋势‌。
‌充电桩‌

：碳化硅器件占充电桩成本的80%，支撑大功率快充技术普及‌。

‌能源与工业‌

‌光伏/储能‌

：提高逆变器转换效率，降低系统能耗‌。

‌智能电网‌

：耐高压特性适配输变电设备需求‌。

三、技术进展与挑战

‌器件设计‌

‌沟槽型MOSFET‌
：相比平面结构，导通电阻降低30%，开关损耗减少20%，避免寄生JFET效应‌。
‌耐压环技术‌

：采用JTE结构提升击穿电压，抑制漏电流和电场集中‌。

‌制造瓶颈‌

‌8英寸衬底量产‌
：已投产8英寸衬底，预计2025年度实现车规级芯片规模化生产‌。
‌良率与成本‌

：当前6英寸衬底良率约60%-70%，8英寸量产将推动成本下降40%-50%‌。

四、国内产业链发展

：布局全产业链（衬底-外延-器件）
‌车企合作‌
：理想汽车、上汽五菱等通过联合研发加速碳化硅上车，10万元级车型已开始导入‌。
‌技术突破‌

：碳化硅模块已量产，华为等企业推动高压快充商业模式创新‌。

五、未来趋势

‌成本下降驱动普及‌
：规模化生产与国产替代将推动碳化硅器件价格趋近硅基产品‌。
‌高频高温场景拓展‌

：航空航天、轨道交通等领域需求持续增长‌。
‌全球竞争加剧‌
：国际巨头（如意法半导体）与国内企业竞逐8英寸技术制高点‌。

‌注‌：以上内容基于2025年3月公开的产业动态及技术进展，具体数据以实际量产情况为准。

头条号

介绍

推荐头条

小萍子昨天 08:23

光刻技术的发展与挑战

小萍子昨天 08:21

58-射频PCB常用板材介绍

小萍子昨天 08:20

晶圆加工概述

小萍子 3 天前

PCB设计实战技巧-丝印导致的焊接问题

小萍子 4 天前

先进封装：芯片堆叠，从大颗粒到小颗粒

小萍子 4 天前

晶圆翘曲的成因分析及解决策略

小萍子 4 天前

台积电2nm芯片工艺泄密案直指东京电子！

小萍子 4 天前

半导体封装

小萍子 4 天前

又一3nm芯片发布

小萍子 6 天前

请您留言

深圳市达泰丰科技有限公司咨询电话：400-839-8894

提交