台积电、Intel、三星三大巨头争相押注，推出WMCM、玻璃基板、HPB等颠覆性技术，每一项突破都在重塑芯片集成规则。结合Yole Group行业报告、NEPCON展会披露信息及头部厂商技术文献，今天我们拆解先进封装的三大技术新爆点，看清行业发展的核心脉络。

第一个爆点，台积电WMCM封装，开启消费电子封装革命，打通先进制程与集成的协同壁垒。作为CoWoS技术的终极演化，WMCM（晶圆级多芯片模组）以重布线层（RDL）替代传统中介层，将逻辑SoC与DRAM平面集成，大幅缩短信号传输路径，兼顾性能、功耗与成本三大核心需求。据悉，台积电正于嘉义AP7工厂新建生产线，2026年底月产可达6万片，2027年翻倍至12万片，独家适配苹果A20芯片与2nm制程。

相较于当前A系列芯片采用的InFo-PoP技术，WMCM在不增加芯片面积的前提下，提升互连带宽、降低功耗的同时，大幅压缩制造成本，完美适配移动终端AI算力释放的需求。其核心价值在于推动先进封装从数据中心向消费电子下沉，树立“晶圆级封装+先进制程”的协同标杆，进一步巩固台积电与苹果、英伟达等核心客户的绑定优势，也让消费级芯片迎来性能跃升新可能。

第二个爆点，Intel玻璃基板+EMIB组合，以材料革新打破多芯片互连瓶颈，瞄准AI大算力场景。在2026年NEPCON日本电子展上，Intel展示的玻璃基板封装样品惊艳行业，78mm×77mm超大尺寸、45μm超微细凸点间距，搭配10-2-10堆叠架构，远超传统有机基板性能上限。玻璃基板凭借优异的平整度、低介电损耗与尺寸稳定性，解决了有机基板高温翘曲的痛点，搭配EMIB嵌入式互连桥接技术，可实现高密度芯粒集成与高速信号传输。

Intel通过“No SeWaRe”技术破解玻璃基板脆性难题，同时优化热膨胀系数匹配，目标将偏差控制在3-5ppm/℃，提升封装良率，计划2026-2030年逐步导入市场。这套技术组合精准对标AI服务器与高性能计算领域，避开消费电子红海，有望让Intel在AI封装赛道突围，将先进封装培育为晶圆代工之外的核心营收增长点，重塑多芯片互连技术规则。

第三个爆点，三星HPB散热+SoP集成双突破，开辟差异化赛道，兼顾移动与AI场景。三星在Exynos 2600中导入的HPB（Heat Pass Block）技术，通过铜基导热块+高k环氧模塑复合材料，构建封装级散热通道，实现热阻降低16%、芯片温度下降30%，破解高端移动SoC高负载发热瓶颈，打破了仅依赖机身散热的传统模式。此前HPB多用于服务器领域，此次落地移动芯片，彰显三星在封装热管理领域的技术积淀。

同时，三星全力推进SoP（面板级系统）技术商业化，以415mm×510mm超大尺寸面板为载体，省去PCB与硅中介层，适配超大型AI芯片集成，对标台积电SoW与Intel EMIB工艺。依托自身存储优势，三星还通过SAINT-D技术实现HBM与GPU垂直堆叠，消除对中介层的依赖，强化存储与逻辑芯片的协同封装能力，凭借错位竞争争夺AI封装制高点。

从行业趋势来看，这三大爆点背后，是先进封装向“材料革新、异构集成、热管理优化、光电合封”四大方向演进的核心逻辑。Yole预测，2023-2029年AI芯片2.5D/3D封装出货量年增23%，先进封装已成为巨头必争之地。国产厂商虽在CoWoS、Chiplet领域加速追赶，但在玻璃基板、高端热管理材料等环节仍有差距。