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这类芯片爆火!订单排到2026年!带动其他芯片也涨价
2024年06月19日 11:22   浏览:258   来源:小萍子

如果说在这波AI浪潮里,英伟达成为红利最大的半导体巨头。那么,作为英伟达供应商的SK海力士和美光,旗下的HBM更是成为芯片领域的“香饽饽”。不仅今明两年的HBM产能被预定一空,订单已经排到2026年。而由于HBM需求太大,SK海力士的扩产计划在持续推进,但同时HBM也会排挤到DDR5 的产能,导致DDR5后期涨价可能性较大。


HBM订单排到2026年


据台系内存供应链透露,由于英伟达的AI芯片供不应求,顺利打入供应链的SK海力士、美光2024年HBM提前售罄,2025年订单也接近满载,订单能见度甚至将看到2026年第1季,估计合计供应给英伟达的HBM月产能约当6万多片。


目前SK海力士的新厂建设及扩充产能都在推进,以应对HBM及DDR5 DRAM需求增加。


SK海力士已向多家设备公司下订单。通过这项投资,SK海力士的1b DRAM产能预计将从第一季度的每月1万片晶圆增加到年底的每月9万片, SK海力士还计划到明年上半年将1b DRAM产量增加到14万至15万片。有业内人士则指出,“设备订单数量的增长已经超出了我们最初的预期。”


除此之外,SK海力士之前在4月决定,将忠清北道清水市M15X厂作为下一代DRAM生产基地,该厂目前正在建设中,明年11月左右竣工,预计SK海力士将于明年初开始订购所需装备。


一系列利好消息让SK海力士在6月18日的股价上涨多达4%,达到2000年10月以来的最高点。市场消息称,SK海力士可能会上调其未来的盈利预期。


除了SK海力士,美光也计划于广岛兴建DRAM新厂,预定 2026年初动工、最快2027年底前完成厂房建设。


DDR5产能受排挤或涨价


此外,业界分析,AI带动高带宽内存需求强劲,不仅享有高毛利优势,目前也出现供不应求盛况,吸引SK海力士、三星、美光等三大DRAM厂倾全力投入,在产能排挤效应下,将有效控制DDR5与DDR4产量,助攻DRAM报价与市况。


十铨则表示,随着DDR5供给有限,下半年价格将续涨,预期涨幅有望达双位数百分比;DDR4价格同步看升,下半年涨幅至少30%。


也有模组厂认为,DDR5价格持续走扬态势明确,预期到了年底前还有10~20%涨幅,但若DDR5价格太高,反而可能拖延市场渗透率的起飞速度,影响下游客户采用的意愿。


三星HBM 3D封装年内落地


作为存储三大巨头,SK海力士和美光均已通过英伟达的认证,但三星旗下的HBM3E内存目前仍未正式通过英伟达的测试,仍需进一步验证。


不过,据韩媒援引三星电子公司和消息人士的话称,三星电子将在年内推出高带宽内存(HBM)的3D封装服务,计划明年推出的第六代HBM芯片HBM4将采用这种封装方式。


即将推出HBM的3D封装服务意味着三星加快研发脚步,争取缩小与SK海力士在HBM4的差距。


三星这项被称为SAINT-D的最新封装技术是在逻辑芯片上垂直堆叠HBM芯片,以进一步加快数据学习和推理处理速度。由于AI芯片封装需要整合不同类型的芯片,往往芯片代工厂需要与其他芯片制造商合作设计封装。


而三星可提供HBM 3D封装的一揽子解决方案,即三星先进封装团队把内存业务部门生产的HBM芯片与代工部门组装的逻辑芯片进行垂直堆叠封装。

三星电子高管表示,3D封装降低了功耗和处理延迟,提高了半导体芯片的电信号质量。


市场研究机构TrendForce集邦咨询预测,随着对低功耗、高性能芯片的需求不断增长,HBM在DRAM市场的份额将从2024年的21%增至2025年的30%。


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