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晶圆制造的热处理工艺

2024年10月31日 09:00 浏览：106 来源：小萍子

热处理工艺主要指在高温下操作的制造程序，通常在高温炉中进行，包含氧化、扩散和退火等主要工艺。

氧化：是指将硅片放置于氧气或水汽等氧化剂氛围中进行高温热处理，进而通过化学反应在硅片表面形成氧化膜的过程；

扩散：是指在高温下利用热扩散原理将杂质元素掺入硅衬底，使其按照特定浓度分布，从而改变硅材料的电学特性，主要用于制作PN结或构成集成电路中的电阻、电容、互连布线、二极管和晶体管等元器件，也用于元器件之间的隔离；

退火：是指加热离子注入后的硅片，修复离子注入所产生的晶格缺陷的过程。

目前用于氧化、扩散和退火等热处理工艺的设备主要为卧式炉、立式炉和快速升温炉三种。

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