HBF 是 High Bandwidth Fabrics 的缩写,直译为“高带宽架构”。它是一种由 英特尔 提出并主导的先进封装技术和互连标准。其核心目标是在一个封装内,将多个芯片(如计算芯片、内存、I/O芯片等)通过一个超高带宽、低功耗、低延迟的片上互连网络连接起来,形成一个高性能的“超级芯片”。
简单理解:HBF 就像是在一个“微型主板”上,为各个芯片构建了一个超级高速公路网,让它们能以极高的速度和效率交换数据。
最基础的“能否装得下、连得上”的规则。 凸块与间距规则: 凸块类型:明确允许使用的互连类型(如微凸块用于标准连接,铜柱或混合键合用于Foveros Direct)。 凸块间距:规定最小凸块中心距(例如,标准微凸块为35-55µm,混合键合可达<10µm)。这直接决定了互连密度和带宽。 凸块阵列布局:规定芯粒边缘必须留出非功能凸块(哑凸块) 用于机械支撑,以及电源/接地凸块的分布比例和模式。 芯粒与硅桥布局规则: 芯粒尺寸和形状限制:对芯粒的最大/最小尺寸、长宽比、以及边缘到有效电路的距离(切割道)有明确规定。 芯粒到芯粒间距:规定两个相邻芯粒之间的最小距离(芯片到芯片间隙),以确保有足够空间填充下填料,并避免热机械应力干扰。 硅桥对准容差:规定芯粒上的凸块阵列与下方硅桥上的焊盘之间允许的最大对准误差(通常为±1~2µm)。这直接影响设计的余量和良率。 “Keep-out Zone”规则: 在芯粒的特定区域(如靠近边缘、靠近高热模块处)禁止放置敏感电路或关键信号凸块,以规避应力、热梯度或封装效应的不利影响。

对比维度 HBM(高带宽内存) HBF(高带宽互连架构) 中文全称 英文全称 本质属性 存储器芯片产品 封装互连技术平台 技术范畴 核心功能 供应形式 对比维度 HBM HBF 核心技术 连接方式 密度提升方式 接口特性 物理形态 制造工艺 代表产品/技术 参数类型 HBM典型值/特征 HBF典型值/特征 连接密度 物理间距 传输延迟 能效比 带宽规模 工艺节点 温度特性 际发展 HBM演进 HBF演进 第一代
• 4层堆叠
• 128GB/s带宽
• 基础硅桥
• 2D平面连接第二代
• 8层堆叠
• 256GB/s带宽
• 3D堆叠技术
• 芯片上堆叠芯片第三代
• 8-12层堆叠
• 460GB/s带宽
• 多芯粒3D集成
• 混合封装技术第四代
• 16层堆叠
• 819GB/s带宽
• 混合键合技术
• <10μm凸块间距发展趋势
• 带宽密度提升
• 能效比优化
• 支持更多芯粒集成
• 向chiplet生态系统演进