紧接上一讲，这一节位线（Bit Line, BL）与存储节点接触（Storage Node Contact, NC）的制造是连接晶体管与存储电容、构建数据读写通道的关键环节。以下将按照工艺流程顺序，详细阐述从位线接触到存储节点接触的完整制造过程。

三、位线连接：BLC

在完成字线后，需要建立连接晶体管与位线的垂直通道，即位线接触（Bit Line Contact, BLC）。首先沉积层间介质层并平坦化，然后涂覆光刻胶，通过光刻定义出接触孔的位置。接触孔蚀刻必须精确停止在下方的有源区硅上。孔洞形成后，沉积一层钛/氮化钛作为粘附/阻挡层，然后使用化学气相沉积填入钨。最后通过化学机械抛光去除表面多余的钨，形成一个个平整的银白色钨塞，这些就是位线接触栓。

四、位线：BL

紧接着是位线（Bit Line, BL）本身的制造。在位线接触栓上，需要先形成与晶体管源漏区连接的小型金属硅化物，以降低接触电阻。然后，沉积用于形成位线金属层的多层薄膜，通常包括多晶硅和金属硅化物的复合结构。涂覆光刻胶并光刻出细长的位线图形，这些位线与字线垂直交叉，定义了数据信号的走向。通过蚀刻，将位线图形下方的多层薄膜刻蚀成型，形成一条条贯穿芯片阵列的、呈金属灰色的位线导线。位线是读出放大器的直接连接通道，其电阻和电容特性对读取速度有决定性影响。

下一节我们继续讲解M0与Cell电容如何构建。