Alpha&Omega半导体（AOS）推出了AmpStack封装技术，将高侧和低侧MOSFET芯片叠加在同一个DFN6x5封装内，形成一个完整的80V半桥。

为什么要堆叠芯片？

由两块独立的DFN5x6 MOSFET组成的传统半桥需要在PCB上并排排列两个封装，并用铜线路由连接交换节点。这种布线增加了寄生电感，而在快速开关节点上的电感会激发振铃，并且对MOSFET产生额外的电压应力。

AmpStack通过将两个芯片垂直放置在一个封装中，并在换流节点用夹子连接，从而省去了这一布线步骤。由于两个芯片已经共用一个封装，原本装一个DFN5x6的PCB现在能承载完整的半桥。

首款AmpStack器件面向80V应用

基于封装平台的首款产品是AOPL66801，这是一种80V N通道MOSFET，内部以对称半桥方式接线。高侧和低侧MOSFET在10V门极驱动下的最大RDS（on）均为2.2 mΩ。高侧器件支持304A的连续漏极电流，而低侧器件额定为215A，反映了封装内不同的热工作条件。

解决栅极驱动和热极限

板级布局不仅影响电流路径。它也会影响门极驱动路径。栅极环路中的寄生电感会减慢开关速度并增加损耗，随着开关频率和di/dt的上升，损耗会变得更严重。AOS通过开尔文引脚解决这个问题，该引脚用于在快速电流瞬变期间保持门极到源电压的稳定。开尔文连接还为高侧门极提供了更直接的驱动路径，减少了因信号路径更长、噪音更大而产生的开关损耗。在热方面，该器件额定最大结温为175°C，这为设计者提供了更大的空间，尤其在高电流密度且占用的面积比两件式分立方案更小时。

AOPL66801面向多种规模的功率转换设计，从兆瓦级AI数据中心供电到电机驱动和电动工具，现已投入生产。

总结

AmpStack是一种封装技术，不是一次性零件，80V AOPL66801是AOS的首个产品，而非垂直堆叠芯片的天花板。随着AI服务器机架同时推动更高的母线电流和更紧凑的板块空间，像这样的封装技术正成为比等待下一代MOSFET硅片更快实现同等功耗的途径。