Clip封装工艺是一种采用铜片（Cu Clip）实现芯片与引脚连接的先进半导体封装技术‌，相比传统引线键合，它在电性能、散热和可靠性方面实现显著突破，已成为高功率器件主流升级方向。

CLIP = Clip Interconnect Package，业内常称铜夹封装、Clip 封装，是功率半导体主流封装工艺，大量用于 MOSFET、IGBT、功率二极管、DrMOS。

逐层剖面结构（自底部向上）

1. 引线框架基岛（Die Pad / D 极焊盘）

   铜基材框架，器件背部外露金属 Tab，直接作为漏极外部散热面与电气引出。

2. 底层焊料层（固晶焊层 Solder Die Attach）

   焊锡 / 烧结银，填充在基岛上表面与芯片背面之间；实现芯片漏极 D ↔ 基岛导电与导热。

3. 功率半导体裸芯片（Silicon / SiC Die）

• 芯片底面：整片金属化，漏极 D；
• 芯片顶面：两大区域 —— 大面积源极焊盘（S Pad）、一小块独立栅极焊盘（G Pad）。

4. 上层焊料层（Clip 焊接焊层）

   仅铺在芯片源极 S 焊盘表面，用于焊接铜夹下表面。

5. 铜夹（Copper Clip，核心互连件）

   一体冲压成型的厚铜片，结构分为两段：

   作用：整块铜片替代数十根铝键合线，形成宽截面 S 极导电通道。

   
   

• 下端接触面：平整压合在芯片源极焊盘，通过焊层实现电气导通；
• 延伸悬臂：向上、向外弯折，搭接到框架源极 S 引脚内端并焊接；

6. 栅极引线（细铝丝 / 铜线 Wire Bond）

   Clip 封装只把大电流源极改用铜夹；栅极电流极小，依然保留单根细引线，连接芯片 G 焊盘与栅极框架引脚。

7. 环氧树脂塑封体（Mold Compound）

   包裹全部芯片、焊层、铜夹、引线与框架内端；绝缘、防潮、机械保护； 器件底部基岛下表面裸露在外，不被塑封覆盖，用于 PCB 散热。

8. 框架外引脚（G / S / D 引脚）

   从塑封两侧伸出，用于 PCB 贴片焊接。

电气通路文字梳理

• 漏极 D

  ：芯片背面 → 底层焊料 → 基岛（背部 Tab）→ D 引脚

• 源极 S

  ：芯片正面 S 焊盘 → 上层焊料 → 铜夹 → S 引脚（Clip 主回路）

• 栅极 G

  ：芯片正面 G 焊盘 → 细键合引线 → G 引脚
  
  

一、核心原理

• 传统功率器件：铝丝 / 金线键合（Wire Bond） 

• CLIP 封装：用一块铜金属夹片（Copper Clip） 直接压接芯片源极 / 发射极与引脚框架，替代多根细引线。 

• 结构简化： 芯片电极 → 铜夹 → 引线框架，一体导电通路。

  
  

二、核心优势

1. 更低导通电阻 Rds (on)

   铜截面积远大于铝丝，减小欧姆损耗，适合大电流。

2. 更好散热

   铜夹导热优于铝线，芯片热量更快导出，温升更低。

3. 更高电流承载能力

   同等封装外形，CLIP 版本额定电流明显高于引线键合版本。

4. 降低寄生电感

   短而宽的铜夹 → 引线电感大幅减小，开关噪声更小、适合高频电源（DC-DC、服务器电源、快充）。

5. 可靠性提升

   避免铝丝高温循环疲劳断裂问题，抗功率循环能力更强。
   
   

三、常见 CLIP 封装型号（外形还是传统封装，内部采用 Clip）

• TO-252 (DPAK) CLIP

• TO-263 (D2PAK) CLIP

• TO-247 CLIP

• QFN / Power QFN CLIP（DrMOS 常用）

外观上和普通 TO252 看不出区别，需要看料号规格书标注：Copper Clip / Clip Bond。

四、劣势

1. 生产成本高于铝丝键合器件；
2. 工艺限制：芯片布局、平整度要求高；
3. 无法随意修复返工。
   
   

五、典型应用场景

• 服务器主板 DrMOS
• 笔记本、车载 DC-DC 降压
• 快充电源、储能 BMS 开关管
• 锂电保护板大电流 MOS

六、快速区分：Wire Bond vs Clip

打开规格书重点看两处：

1. Package Construction：Copper Clip Interconnect
2. 相同封装对比参数：CLIP 版本 Rds (on) 更小、Id 更大