据TrendForce集邦咨询研究显示，台积电、三星、格芯在2023年第四季全球前十大晶圆代工业者占据前三榜，而在第三季英特尔也曾成功挤进前十榜单，排名第九。TrendForce集邦咨询预计，2024年在AI相关需求的带动下，前十大晶圆代工营收预估有机会年增12%，达1,252.4亿美元，而台积电受惠于先进制程订单稳健，年增率将大幅优于产业平均。

近期包括台积电、三星、联电、力积电、世界先进在内的厂商纷纷发布最新财报，从各家数据看，晶圆代工行业景气度有所回升。据悉，台积电3月实现营收约60.5亿美元，同比增长34.3%；三星2024年一季度营业利润约为6.6万亿韩元（合49亿美元），同比增长931.3%；力积电今年第一季营收108.2亿元新台币，毛利率回升至 15.4%；联电3月实现营收约5.63亿美元，同比增长2.7%；世界先进3月实现营收约1.12亿美元，同比增长44.8%。

据美国商务部国家标准及技术研究所官网（NIST）贴出的声明，三星电子此次与美国政府签订的是不具约束力的初步备忘录。

三星电子将在得克萨斯州的两个地点建立一个半导体生态集群，包括在泰勒市建设两座先进逻辑代工厂，制程分别为4nm和2nm；在泰勒市新建一座先进制程研发设施；在泰勒市新建一座可进行3D HBM内存的生产和2.5D封装先进封装工厂；在奥斯汀扩建现有半导体设施，扩大FD-SOI（全耗尽型绝缘体上硅）工艺产能。

作为配套美国政府还将通过《芯片法案》提供4000万美元的当地劳动力培训发展资金。另外，除了协议中提到的64亿美元直接拨款外，三星还计划申请美国财政部的投资税收抵免，预期能够覆盖合规资本支出的25%。

4月8日，美国商务部和台积电签署一份不具约束力的初步备忘录（PMT），基于《芯片与科学法》，台积电将获得最高可达66亿美元的直接补助。当日台积电宣布计划在美国亚利桑那州建设第三座晶圆厂。

当前，台积电在美国亚利桑那州的晶圆一厂、二厂正在如火如荼地进行。其中，晶圆一厂有望于2025年上半年开始采用4nm技术生产。晶圆二厂除了之前宣布的3nm技术外，还将生产世界上最先进的2nm工艺技术，采用下一代纳米片晶体管，并于2025年开始生产。

台积电表示，其第三座晶圆厂将使用2纳米或更先进的工艺生产芯片，并计划在2028年开始生产，预计将创造约6,000个直接高科技、高薪工作岗位。此外，根据大凤凰城经济发展促进会（Greater Phoenix Economic Council）的分析报告，针对这三座晶圆厂的增额投资将创造累计超过2万个单次的建造工作机会，以及数以万计的间接供应商和消费端累计的工作机会。

据悉，算上美国政府的补贴，台积电在亚利桑那州建设的三座晶圆厂投资总金额将超过650亿美元，其中包括先前宣布的400亿美元投资计划，此次追加的250亿美元将主要用于第三座晶圆厂的建设经费上。对此，美国商务部长雷蒙多（Gina Raimondo）表示，这些晶圆厂将支援所有人工智能的芯片。

3月20日，美国商务部宣布，与英特尔达成一份不具约束力的初步条款备忘录（PMT），将根据美国芯片法案向英特尔提供至多85亿美元的直接资金和最高110亿美元贷款。

其中，85亿美元的直接资金将分批发放，这取决于英特尔是否达到一些特定的“里程碑”。一旦协议被确定，提供给英特尔的相关资金最早或在今年晚些时候到位。

英特尔将在美国四个州投资超1000亿美元，包括在亚利桑那州和俄亥俄州大型工厂生产尖端半导体，以及俄勒冈州和新墨西哥州小型工厂的设备研发和先进封装项目。

资料显示，英特尔于2022年宣布在俄亥俄州建设两座新厂，预计完工时间为2025年。不过近期英特尔表示，两座工厂的实际建设完工时间或将推迟到2026年或2027年，而投产则要等到2027年或2028年。

2月19日，美国政府宣布向格芯（Global Foundries）提供15亿美元资金补贴，根据与美国商务部达成的初步协议，格芯将在美国纽约州马耳他建立一个新的半导体生产设施，并扩大在马耳他和佛蒙特州伯灵顿的现有业务。

此外，除了15亿美元的补贴之外，政府还将提供给格芯16亿美元的贷款，最后带动的投资可能在120亿美元左右。

针对格芯补贴，美国商务部长雷蒙多说，格芯马耳他工厂的扩建将确保通用汽车（GM）等汽车供应商和制造商能取得稳定的的芯片供给。格芯和通用汽车在2月9日已宣布了长期协议，通用将能取得美国制造的处理器，以避免芯片短缺，导致工厂停产的事件重演。而格芯整修后的伯灵顿工厂将成为美国第一家能够大量生产下一代氮化镓（GaN）硅芯片的工厂，此种芯片可用于电动车、电网和智能手机。