1. 核心工艺的共性
无论厂商如何划分，以下步骤普遍被认为是半导体制造的核心流程：
- 晶圆加工（Wafer Fabrication）
制备高纯度硅晶圆，作为半导体制造的基础衬底。 - 氧化（Oxidation）
在晶圆表面生成二氧化硅层，用于绝缘或保护。 - 光刻（Photolithography）
通过光刻胶和掩膜版将电路图形转移到晶圆表面。 - 刻蚀（Etching）
选择性去除未被光刻胶保护的材料，形成三维结构。 - 薄膜沉积（Deposition）
通过CVD（化学气相沉积）或PVD（物理气相沉积）形成导电或绝缘层。 - 金属化/互连（Metallization/Interconnect）
构建金属导线，连接晶体管和其他组件。 - 测试（Testing）
对晶圆上的芯片进行电性测试，筛选合格品。 - 封装（Packaging）
切割晶圆后封装芯片，保护电路并提供外部连接。
2. 厂商分类差异的原因
设备商视角：Lam（泛林）
设备商视角（Lam）：以设备技术为核心，分类服务于设备研发与销售，突出刻蚀、沉积等关键设备对应的工艺步骤
存储器IDM视角：SK海力士
强调存储器制造的特殊需求（如金属化精度、掺杂控制），并整合了实际产线中的必要步骤（如CMP）
综合IDM视角：三星
兼顾逻辑与存储芯片的通用性，通过流程整合提升效率，同时采用更直观的术语适应多元化产品线
3. 未被列为“八大”但关键的工艺
尽管不同厂商未将所有步骤列入“八大”，以下工艺同样重要：
- 离子注入（Ion Implantation）：调整半导体材料的导电特性（掺杂）。
- 化学机械研磨（CMP）：平整晶圆表面，确保多层结构的精度。
- 清洗（Cleaning）：在各步骤间去除污染物，保证工艺质量。
- 扩散（Diffusion）：高温下实现掺杂原子的分布控制。
