干法蚀刻技术
干法蚀刻是芯片制造中最重要的表面材料去除方法，具备更优异的轮廓控制能力。根据作用机理，可分为物理蚀刻、化学蚀刻及物理-化学综合蚀刻三类。物理-化学综合蚀刻：通过离子轰击（物理过程）增强反应性元素与硅表面物质的化学反应效率，结合离子溅射与表面反应的双重优势，实现更高的选择比和线宽控制精度。  

集成电路制造中的干法蚀刻应用  
集成电路制造需针对硅片上的不同材料采用多种干法蚀刻工艺，通过与光刻、沉积等工艺的多次配合，形成完整的底层电路、栅极、绝缘层及金属路径。主要应用场景包括：  
 1. 介质干法蚀刻  
介质干法蚀刻是最复杂的蚀刻工艺，主要包括氧化物蚀刻和氮化硅蚀刻：  
氧化物蚀刻：用于制备接触孔和通孔，需刻蚀高深宽比窗口，通常采用碳氟化合物化学体系。  

2. 硅的等离子干法蚀刻  
硅的等离子干法蚀刻是硅片制造的关键工艺，具体包括：  
多晶硅栅极蚀刻：对底层栅氧化层需具备高选择比，并要求优异的均匀性和重复性，通常采用氟基气体。  
单晶硅蚀刻：主要用于制备沟槽，需保证沟槽表面一致性、近垂直侧壁、精确深度及圆角顶部/底部。其中：  
 - 浅沟槽蚀刻采用氟气，对光刻胶选择比高；  
 - 深沟槽蚀刻多采用氯基或溴基气体，蚀刻速率快且对氧化硅选择比高。  

3. 金属蚀刻  
金属蚀刻主要应用于金属互连线、通孔、接触金属等环节：  
铝合金互连线：采用氯基气体及部分聚合物进行蚀刻。  
钨（多层金属结构通孔填充）：通常使用氟基或氯基气体蚀刻。  

超声波涂层系统在半导体制造中的应用
超声波涂层系统通过先进的分层技术，可精确控制流量、涂覆速度和沉积量，其低速喷雾成形技术能将雾化喷雾定义为精确可控的图案，避免制备超薄均匀涂层时的过度喷涂。实践表明，超声技术直接喷涂是在3D微结构上沉积光刻胶的可靠有效方法，可减少金属因过度暴露于蚀刻剂而导致的设备故障。  

超声波的涂层系统具有以下优势：
厚度可控：支持亚微米至100微米以上涂层厚度；  
适用范围广：可涂覆任意形状和尺寸的基材，是旋涂、传统喷涂等技术的可行替代方案；  
无堵塞技术：喷嘴的超声振动能有效分散悬浮液中的颗粒，使膜层中颗粒分布均匀，且导电颗粒不会从悬浮液中沉降，尤其适用于功能材料和保护材料的超薄微米层涂覆。