Peeling defect的产生并非单一因素所致，而是工艺参数、材料特性、设备状态及环境条件等多维度因素共同作用的结果。

在工艺参数方面，多个环节都可能引发问题。例如，衬底与光刻胶之间的粘附不良是根本原因之一，这与粘合处理（如HMDS的使用）的条件如温度、时间以及衬底材料本身密切相关。软烘烤（前烘）工艺控制不当，会影响光刻胶的硬化程度和溶剂蒸发，进而削弱粘附力。曝光环节中，焦距条件超出工艺窗口、曝光剂量不足，会导致光刻胶反应不充分。后烘（PEB）过程若过强，会加剧光酸扩散形成底切（undercut）。显影过程中，如果显影时间不足、冲洗（rinse）力度过强或显影液喷淋不均，都可能导致胶层被意外冲垮或溶解不彻底。此外，烘烤固化过度也会使光刻胶变得难以去除。

材料的选择与匹配。不同的衬底（如玻璃、硅、GaN、金属、氮化硅等）需要针对性的粘合工艺与材料。粘合剂（不限于HMDS）与特定衬底可能不兼容。光刻胶本身若与工艺要求的高深宽比不匹配，其结构强度不足易导致坍塌。此外，使用过期老化的光刻胶、失效或浓度不达标的显影液（如TMAH被稀释污染），以及光刻胶与显影液类型不匹配（如负胶误用正胶显影液），都会直接导致剥离不干净。

设备与偶然因素。粘合处理（如HMDS涂覆）设备的运行方式（雾化、旋涂等）可能有限制。显影设备喷头堵塞、压力不足或温度波动（显影液温度通常需稳定在23±1°C）都会造成工艺不均。日常生产中，粘合腔室（ADH Chamber）或热板上的颗粒污染、显影条件异常波动等偶然因素，也常常是引发缺陷的直接原因。

 解决peeling defect需从工艺维护、材料协调、设备保障等多方面系统入手。

首先，必须维护和优化工艺窗口。这包括确保粘合工艺条件合适、优化软烘烤和后烘参数、校准曝光焦距与能量至最佳值，并调整显影时间与冲洗强度。对于剥离不净的问题，可适当延长显影时间，并确保硬烤温度未超过胶层耐受值。

在材料方面需进行协同考量与选择。针对不同衬底选择匹配的粘合剂和光刻胶类型，例如对金属等特殊基材可选用附着力适中且易剥离的胶种。务必使用新鲜、浓度达标（如2.38% TMAH）的显影液，并避免使用过期光刻胶。在剥离困难时，可考虑采用两步剥离法：先使用专用剥离液（如NMP或丙酮）浸泡溶解大部分胶层，再结合超声清洗或采用O₂等离子灰化等干法剥离方式彻底清除残留。

加强基材预处理与设备维护是关键。显影前对基材进行彻底清洁（如采用氧等离子清洗），显影后充分进行去离子水冲洗。定期清洁显影设备喷头、校准温控系统，确保设备运行稳定。日常值班中，必须检查并保持粘合腔室和热板的清洁，监控显影条件是否异常。

当线上出现缺陷时，可遵循快速排查步骤：先通过目检或显微镜观察缺陷形貌与位置；检测显影液浓度与pH值；检查曝光机的输出能量是否校准；验证烘烤热板的实际温度是否符合设定。这些步骤有助于快速定位问题根源。

光刻胶peeling defect的核心在于工艺平衡被打破，导致胶层粘附失效或去除不彻底。有效管控需要从工艺参数的精细调控、材料的科学匹配、以及设备与环境的稳定维护三个方面协同优化，方能提升光刻工艺的整体稳定性与产品良率。