100微米以下的薄晶圆能实现更高集成度与互连效率，但极易在加工中破损。而晶圆解键合（Debonding）作为临时键合-解键合体系的关键环节，正是破解薄晶圆加工难题的核心技术，直接决定先进封装的良率与可靠性。

晶圆解键合的核心逻辑，是将完成背面研磨、刻蚀、金属化等工艺的器件晶圆，从临时固定的刚性载板上精准分离，全程需兼顾“无损伤”与“高效率”。临时键合-解键合技术的普及，彻底打破了薄晶圆加工的瓶颈，让3D堆叠、扇出型封装等先进方案规模化落地，其技术水平直接关联芯片微型化与集成化的上限。

目前行业主流的解键合技术分为四大类，适配不同工艺场景与晶圆敏感度，各有优劣与核心壁垒。热解键合是最成熟的方案，分为热滑移与热分解两种模式：热滑移通过190-220℃加热使键合胶软化，搭配剪切力完成分离，需精准控温避免清洗困难；热分解则通过更高温促使键合胶分子链断裂，无需机械力，但对键合胶的热稳定性要求极高，适配高可靠性场景。

激光解键合是高端场景的优选，核心优势是低温无损。其通过248nm或365nm波长激光穿透透明载板，被键合层吸收后引发光解反应，实现常温分离，完美适配对热敏感的高端芯片。该技术的关键的是激光波长与键合材料的光吸收特性匹配，也是当前国产设备攻坚的重点方向之一。

化学解键合主打“低应力”，通过专用溶剂渗入键合层，使胶材溶胀、断链溶解，实现晶圆自然分离，对薄晶圆损伤极小。但需对载板打孔保障溶剂渗透，且键合胶需选用热塑性或改性聚酰亚胺等可溶解材料，适配对机械应力敏感的器件加工。机械解键合则完全依赖受控机械力剥离，类似撕胶带，工艺简单但对操作精度要求极高，易产生应力损伤，多用于中低端场景。

无论哪种技术路径，临时键合材料与工艺控制都是核心前提。材料需兼顾良好粘附力与后续可清洗性，同时兼容加工环境的耐高温、耐化学腐蚀需求；工艺上需把控晶圆平整度、键合胶厚度，更要匹配载板与器件晶圆的热膨胀系数（CTE），避免温度变化引发应力或分层。这些细节直接决定解键合的良率，也是工艺优化的核心痛点。

从产业视角来看，解键合技术的迭代直接支撑先进封装的升级。随着Chiplet集成度提升、晶圆尺寸扩大，对解键合的效率、无损性要求持续提高，高端解键合设备与材料仍被海外垄断。国内企业需同步攻坚设备与材料，突破激光波长匹配、键合胶配方等核心技术，才能夯实先进封装产业链的自主可控能力。