溅镀，即物理气相沉积（PVD）的核心技术，是半导体封测中制备超薄、致密、高附着力金属薄膜的关键工艺。广泛用于 UBM、RDL、TSV及封装表面金属化。截至2026，业界主流已从传统直流/射频溅射全面升级至磁控溅射，并向HiPIMS（高功率脉冲磁控溅射）、原子级沉积控制演进，以适配先进封装（Fan-Out WLCSP、2.5D/3D IC）的严苛需求。溅镀是动量传递的物理过程：在高真空腔体中，通入氩气（Ar）并施加电场使其电离为等离子体（Ar⁺）；氩离子在强电场加速下轰击靶材（Target），将靶材原子/ 分子轰击出来（溅射）；这些粒子在真空环境中迁移至晶圆/基板表面，凝聚形成连续薄膜。1）膜层质量：致密度高、附着力强、均匀性好（<3%） 2）材料适配：可溅射金属、合金、陶瓷、化合物，绝缘 / 导电材料通用3）台阶覆盖：深孔、沟槽、TSV 的保形性（Step Coverage）远优于蒸镀4）工艺可控：厚度精度达纳米级（1~1000nm），重复性佳1）倒装芯片（FC）：UBM 层（Ti/Cu/Ni）、微凸点（<30 μm）打底2）晶圆级封装（WLCSP/Fan-Out）：RDL 金属线路、pad 金属化3）3D IC/TSV：深孔侧壁 conformal 金属化（Ti/Cu）5）第三代半导体（GaN/SiC）：欧姆接触电极、钝化保护层
