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2.5D与3D封装结构简介

2026年07月23日 17:16 浏览：7971 作者：小萍子

特性	2.5D 封装	3D 封装
核心结构	水平并排放置，依赖中介层。多颗芯片（如 GPU、HBM）平铺在硅中介层上，中介层内有 TSV 与 RDL，负责高密度互连，再整体连到基板。	垂直堆叠，无中介层，芯片直接互连。芯片层层堆叠（如逻辑+缓存+存储），通过TSV（硅通孔）或混合键合直接垂直互连，信号走垂直路径。
互连方式	Bump+RDL	TSV/混合键合
互连密度	中等	极高
信号路径	较长	极短，延迟更低
集成度	面积较大，横向扩展	面积小，垂直压缩，集成密度更高
散热能力	优势明显，芯片平铺独立散热，热阻低	挑战较大，热量逐层传导，易热叠加
设计灵活性	高，支持不同制程、不同厂商芯片混搭	低，堆叠芯片需匹配工艺，设计复杂
成本与良率	良率较高，成本适中	良率随层数指数级下降，成本高
典型应用	HBM+GPU/AI 加速卡、FPGA、数据中心芯片	存储堆叠（NAND Flash）、CPU 缓存堆叠、高端 SoC