1、减薄（Back Grind）：

芯片依工艺要求，需有一定之厚度。应用研磨的方法，达到减薄的目标。研磨的第一步为粗磨，第二步为细磨，目的为消减芯片粗磨中生成的应力破坏层（一般厚度为1～2μm左右）。

2、贴膜（Wafer Mount）

减薄之后，要在芯片背面贴上配合划片使用的蓝膜，才可开始划片。

3、划片（Wafer Saw）         

划片时需控制移动划片刀的速度及划片刀的转速。不同芯片的厚度及蓝膜的黏性都需要有不同的配合的划片参数，以减少划片时在芯片上产生的崩碎现象。

一般切割刀片可以达到最小的切割宽度为40μm左右。若用雷射光取代切割刀片可将切割宽度减小到20μm。所以使用窄小的切割道的特殊芯片必须用雷射光切割。对于厚芯片或堆叠多层芯片的切割方式，也建议使用雷射光切割。

一般划片时移动的速度为50mm/s。

一般划片时的刀片旋转的速率为38 000r/min。

划片完成后，还需要用洁净水冲洗芯片表面，保证芯片上打线键合区不会有硅粉等残留物，如此才能保证后序打线键合工艺的成功良品率。        

4、贴片（Die Attach）

将芯片颗粒由划片后的蓝膜上分别取下，用胶水（epoxy）与支架（leadframe，引线筐架）贴合在一起，以便于下一个打线键合的工艺。

一般芯片颗粒背后银胶层厚度为5μm。同时芯片颗粒周边需要看到银胶溢出痕迹，保证要有90%的周边溢出痕迹。

其他的常用贴片模式之一，主要是使用共金熔焊模式取代银胶（见图7）。